BSC200P03LSG、SI7619DN-T1-GE3、BSZ120P03NS3G对比区别

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型号 BSC200P03LSG SI7619DN-T1-GE3 BSZ120P03NS3G

描述 的OptiMOS ™ -P功率三极管 OptiMOS™-P Power-TransistorSI7619DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 24A, 30V, 8Pin PowerPAK 121230V,-40A,P沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 TDSON-8 1212-8 TSDSON EP

安装方式 - Surface Mount -

漏源极电压(Vds) - - 30 V

耗散功率 - 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 1350pF @15V(Vds) -

耗散功率(Max) - 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) -

封装 TDSON-8 1212-8 TSDSON EP

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -