IRF2805STRLPBF、STB160N75F3、STB150NF55T4对比区别

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型号 IRF2805STRLPBF STB160N75F3 STB150NF55T4

描述 IRF2805 Series 55V 4.7Ω Through Hole N-Channel Power Mosfet - TO-262-3N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STB150NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 330 W 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 75 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 135 A 60.0 A 60.0 A

上升时间 - 65 ns 180 ns

输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 330 W 300 W

下降时间 - 15 ns 80 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 330W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 120 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 5 mΩ

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 4400 pF

漏源击穿电压 - - 55 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

产品系列 IRF2805S - -

长度 - 10.75 mm 10.4 mm

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99