极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRF2805S
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 135 A
输入电容Ciss 5110pF @25VVds
额定功率Max 200 W
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF2805STRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | IRF2805 Series 55V 4.7Ω Through Hole N-Channel Power Mosfet - TO-262-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF2805STRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: D2PAK N-Channel 55V 135A | 当前型号 | IRF2805 Series 55V 4.7Ω Through Hole N-Channel Power Mosfet - TO-262-3 | 当前型号 | |
型号: STB150NF55T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 55V 60A 6mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V | IRF2805STRLPBF和STB150NF55T4的区别 | |
型号: STB160N75F3 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 75V 60A | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF2805STRLPBF和STB160N75F3的区别 |