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MTB60N06HD、NTB45N06L、MTB60N06HDT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTB60N06HD NTB45N06L MTB60N06HDT4

描述 D2PAK N-CH 60V 60A45安培, 60伏特,逻辑电平, N沟道TO- 220和D2PAK 45 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAKD2PAK N-CH 60V 60A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK-263 D2PAK-263 D2PAK

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 60A 45.0 A 60A

上升时间 197 ns 341 ns -

输入电容(Ciss) 1950pF @25V(Vds) 1212pF @25V(Vds) -

下降时间 124 ns 158 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2500 mW 125000 mW -

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 45.0 A -

漏源极电阻 - 28.0 mΩ -

耗散功率 - 125 W -

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 1.72 nF -

栅电荷 - 46.0 nC -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

封装 D2PAK-263 D2PAK-263 D2PAK

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

最小包装 - 800 -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -