MTB60N06HD
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
MTB60N06HD中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 197 ns
输入电容Ciss 1950pF @25VVds
下降时间 124 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 D2PAK-263
外形尺寸
封装 D2PAK-263
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
MTB60N06HD引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MTB60N06HD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTB60N06HD | ON Semiconductor 安森美 | D2PAK N-CH 60V 60A | 搜索库存 |
替代型号MTB60N06HD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTB60N06HD 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | D2PAK N-CH 60V 60A | 当前型号 |
| 型号： NTB45N06 品牌： 安森美 封装： D2PAK N-Channel 60V 45A 26mΩ 4V 1.72nF | 类似代替 | 60V,45A,N沟道功率MOSFET | MTB60N06HD和NTB45N06的区别 |
| 型号： NTB45N06L 品牌： 安森美 封装： D2PAK N-Channel 60V 45A 28mohms 2V 1.72nF | 类似代替 | 45安培， 60伏特，逻辑电平， N沟道TO- 220和D2PAK 45 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAK | MTB60N06HD和NTB45N06L的区别 |
| 型号： NTB45N06T4 品牌： 安森美 封装： D2PAK N-Channel 60V 45A 26mΩ | 类似代替 | 功率MOSFET 45安培， 60伏 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts | MTB60N06HD和NTB45N06T4的区别 |