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IRFBC30APBF、SPP06N60C3、SPP08N50C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBC30APBF SPP06N60C3 SPP08N50C3

描述 功率MOSFET Power MOSFETINFINEON  SPP06N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 650 V 560 V

额定电流 - 6.20 A 7.60 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 2.2 Ω 0.68 Ω 600 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 74 W 74 W 83 W

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 560 V

漏源击穿电压 - - 560 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 6.20 A 7.60 A

上升时间 - 12 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W 74 W 83 W

下降时间 - 10 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74 W 74 W 83 W

针脚数 3 3 -

阈值电压 4.5 V 3 V -

输入电容 - 620 pF -

栅电荷 - 31.0 nC -

长度 10.41 mm 10 mm 10 mm

宽度 4.7 mm 4.4 mm 4.4 mm

高度 9.01 mm 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99