SPP06N60C3
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Infineon
英飞凌
分立器件
SPP06N60C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 6.20 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.68 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 3 V
输入电容 620 pF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6.20 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
额定功率Max 74 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 74 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
SPP06N60C3引脚图与封装图
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在线购买SPP06N60C3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPP06N60C3 | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPP06N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SPP06N60C3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPP06N60C3 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 6.2A 620pF | 当前型号 | INFINEON SPP06N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： IRF830APBF 品牌： 威世 封装： TO-220AB N-Channel 500V 5A 1.4Ω 620pF | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | SPP06N60C3和IRF830APBF的区别 |
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