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BSP100、STE40NC60、IRLMS1503TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP100 STE40NC60 IRLMS1503TR

描述 N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTSOP N-CH 30V 3.2A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Screw Surface Mount

引脚数 3 4 -

封装 SOT-223 ISOTOP SOT-23-6

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 40.0 A -

额定功率 - 460 W -

漏源极电阻 80 mΩ 130 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 8.3 W 460 W 1.7W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 600 V 30 V

漏源击穿电压 - 600 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 40.0 A 3.2A

上升时间 - 42 ns -

输入电容(Ciss) 250pF @20V(Vds) 11100pF @25V(Vds) 210pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 460 W -

下降时间 - 26 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 8.3 W 460W (Tc) 1.7W (Ta)

针脚数 3 - -

阈值电压 2 V - -

长度 6.7 mm 38.2 mm -

宽度 3.7 mm 25.5 mm -

高度 1.7 mm 9.1 mm -

封装 SOT-223 ISOTOP SOT-23-6

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -