![BSP100](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_43/chanpintu/bsp100-CRFUBemJ-NjvY93mao.png)
针脚数 3
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 8.3 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 250pF @20VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 8.3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-223
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BSP100 | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BSP100 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO223 N-Channel 6A | 当前型号 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 当前型号 | |
型号: FDT459N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-223 N-Channel 30V 6.5A 35mohms 365pF | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | BSP100和FDT459N的区别 | |
型号: STE40NC60 品牌: 意法半导体 封装: ISOTOP N-Channel 600V 40A 130mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | BSP100和STE40NC60的区别 | |
型号: BSP100,135 品牌: 恩智浦 封装: SOT-223 N-Channel 30V 6A | 功能相似 | SC-73 N-CH 30V 3.2A | BSP100和BSP100,135的区别 |