BSH121、BSH121,135对比区别

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型号 BSH121 BSH121,135

描述 Small Signal Field-Effect TransistorNXP  BSH121,135  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SOT-323-3

耗散功率 - 700 mW

漏源极电压(Vds) - 55 V

输入电容(Ciss) - 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 700 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 700mW (Tc)

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 2.3 Ω

极性 - N-Channel

阈值电压 - 1 V

连续漏极电流(Ids) - 300 mA

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

封装 - SOT-323-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17