BSH121,135
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NXP
恩智浦
分立器件
BSH121,135中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 300 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 700mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSH121,135引脚图与封装图
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在线购买BSH121,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSH121,135 | NXP 恩智浦 | NXP BSH121,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号BSH121,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSH121,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-70 N-Channel 55V 300mA | 当前型号 | NXP BSH121,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： BSH121 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSH121,135和BSH121的区别 |