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TIP30C、TIP30CG、BD912对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP30C TIP30CG BD912

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP30C  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 30 W, -1 A, 15 hFEON SEMICONDUCTOR  TIP30CG.  双极晶体管PNP 功率晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -1.00 A -1.00 A -15.0 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 30 W 30 W 90 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 15 @1A, 4V 15 @5A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 75 - 150

额定功率(Max) 2 W 2 W 90 W

直流电流增益(hFE) 15 75 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 90 W

热阻 - 4.167℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 1A -

增益频宽积 - - 3 MHz

长度 10.67 mm 10.28 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm 4.82 mm 4.6 mm

高度 9.4 mm 15.75 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99