DN2535N3-G、DN2535N3-G-P003、DN2535N3-G-P013对比区别

高亮显示差异参数

型号 DN2535N3-G DN2535N3-G-P003 DN2535N3-G-P013

描述 MICROCHIP  DN2535N3-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 VTrans MOSFET N-CH 350V 0.12A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 350V 0.12A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

耗散功率 1 W 1W (Tc) 1W (Tc)

漏源极电压(Vds) 350 V 350 V 350 V

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 1W (Tc)

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 20 ns

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 17 Ω - -

极性 N-Channel - -

连续漏极电流(Ids) 0.12A - -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -