DN2535N3-G-P003
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
DN2535N3-G-P003中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1W Tc
漏源极电压Vds 350 V
输入电容Ciss 300pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
DN2535N3-G-P003引脚图与封装图 
DN2535N3-G-P003引脚图
DN2535N3-G-P003封装图
DN2535N3-G-P003封装焊盘图
在线购买DN2535N3-G-P003
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DN2535N3-G-P003 | Microchip 微芯 | Trans MOSFET N-CH 350V 0.12A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号DN2535N3-G-P003
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DN2535N3-G-P003 品牌： Microchip 微芯 封装： TO-92-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 350V 0.12A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： DN2535N3-G 品牌： 微芯 封装： TO-92-3 N-Channel 350V 0.12A | 类似代替 | MICROCHIP DN2535N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V | DN2535N3-G-P003和DN2535N3-G的区别 |