APT5010JN、IXFN180N20、IXFN48N50U2对比区别

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型号 APT5010JN IXFN180N20 IXFN48N50U2

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN180N20.  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 200 V, 10 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Chassis

引脚数 4 3 4

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

漏源极电压(Vds) 500 V 200 V 500 V

上升时间 25 ns 85 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 5570pF @25V(Vds) 22000pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 56 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 520000 mW 700W (Tc) 520W (Tc)

耗散功率 - 700 W 520W (Tc)

额定功率(Max) - 700 W 520 W

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 180 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.01 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 4 V -

连续漏极电流(Ids) - 180 A -

隔离电压 - 2.5 kV -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

产品生命周期 Obsolete Not Recommended Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 - 0.046 kg -