APT5010JN
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
APT5010JN中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 5570pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
APT5010JN引脚图与封装图
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在线购买APT5010JN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT5010JN | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |
替代型号APT5010JN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT5010JN 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ISOTOP | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227 | 当前型号 |
| 型号： IXFN48N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 500V 48A 100mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V | APT5010JN和IXFN48N50的区别 |
| 型号： IXFN55N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 55A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN55N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 55 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 4.5 V | APT5010JN和IXFN55N50的区别 |
| 型号： IXFN180N20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 200V 180A 6mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N20. 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 200 V, 10 mohm, 10 V, 4 V | APT5010JN和IXFN180N20的区别 |