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BSC052N03S、BSC0909NSATMA1、BSC020N03LSG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC052N03S BSC0909NSATMA1 BSC020N03LSG

描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 34 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2 V30V,100A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 - 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-1

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 34 V 30 V

极性 N-CH N-CH -

连续漏极电流(Ids) 18A 12A -

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 54W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) -

额定功率 - 27 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0077 Ω -

阈值电压 - 2 V -

上升时间 - 4.4 ns -

输入电容(Ciss) - 1110pF @15V(Vds) -

下降时间 - 5.4 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-1

长度 - 5.9 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 1.27 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

香港进出口证 - - NLR

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -