BSC052N03S

Infineon 英飞凌分立器件

OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor

Features

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for notebook DC/DC converters

• Qualified according to JEDEC1 for target applications

• N-channel

• Logic level

• Excellent gate charge x R DSon product FOM

• Very low on-resistance R DSon

• Superior thermal resistance

• Avalanche rated

• dv /dt rated

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

BSC052N03S中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18A

耗散功率Max 2.8W Ta, 54W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC052N03S引脚图与封装图

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替代型号BSC052N03S

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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