VP0109N3、VP0109N3-G、VP0109ND对比区别

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型号 VP0109N3 VP0109N3-G VP0109ND

描述 MOSFET 90V 8ΩVP0109N3-G 袋装P-CH 60V 0.25A

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92-3 TO-92-3 -

引脚数 - 3 -

通道数 1 - -

漏源极电阻 8 Ω 6 Ω -

耗散功率 1 W 1 W -

漏源击穿电压 90 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 - 1 W -

针脚数 - 3 -

极性 - P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) - 90 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 0.25A 0.25A

上升时间 - 3 ns -

输入电容(Ciss) - 60 pF -

下降时间 - 4 ns -

耗散功率(Max) - 1W (Tc) -

封装 TO-92-3 TO-92-3 -

长度 - 5.21 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - 无铅 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -