VP0109N3-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
VP0109N3-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1 W
针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 P-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 90 V
连续漏极电流Ids 0.25A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 60 pF
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
VP0109N3-G引脚图与封装图 
VP0109N3-G引脚图
VP0109N3-G封装图
VP0109N3-G封装焊盘图
在线购买VP0109N3-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VP0109N3-G | Microchip 微芯 | VP0109N3-G 袋装 | 搜索库存 |
替代型号VP0109N3-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VP0109N3-G 品牌： Microchip 微芯 封装： TO-92-3 P-CH 90V 0.25A | 当前型号 | VP0109N3-G 袋装 | 当前型号 |
| 型号： VP0109N3 品牌： 微芯 封装： TO-92-3 | 类似代替 | MOSFET 90V 8Ω | VP0109N3-G和VP0109N3的区别 |
| 型号： VP0109ND 品牌： 微芯 封装： | 功能相似 | P-CH 60V 0.25A | VP0109N3-G和VP0109ND的区别 |
| 型号： 109N 品牌： 微芯 封装： | 功能相似 | 250mA, 90V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 | VP0109N3-G和109N的区别 |