ZXMN10A08E6、ZXMN6A08E6对比区别

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型号 ZXMN10A08E6 ZXMN6A08E6

描述 DIODES INC. ZXMN10A08E6 MOSFET Transistor, N Channel, 1.5A, 100V, 400mohm, 10V, 2VDIODES INC.  ZXMN6A08E6  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 N沟道MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-23 SOT-23

针脚数 - 6

漏源极电阻 0.4 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.7 W 1.7 W

阈值电压 2 V 1 V

漏源极电压(Vds) 100 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 3.00 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

封装 SOT-23 SOT-23

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

军工级 - Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17