ZXMN10A08E6
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Vishay Semiconductor
威世
晶体管
ZXMN10A08E6中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ZXMN10A08E6引脚图与封装图
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在线购买ZXMN10A08E6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMN10A08E6 | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZXMN10A08E6 MOSFET Transistor, N Channel, 1.5A, 100V, 400mohm, 10V, 2V | 搜索库存 |
替代型号ZXMN10A08E6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXMN10A08E6 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-26 N-Channel 100V 1.5A | 当前型号 | DIODES INC. ZXMN10A08E6 MOSFET Transistor, N Channel, 1.5A, 100V, 400mohm, 10V, 2V | 当前型号 |
| 型号： ZXMN6A08E6 品牌： 威世 封装： SOT-26 N-Channel 60V 3A | 类似代替 | DIODES INC. ZXMN6A08E6 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V | ZXMN10A08E6和ZXMN6A08E6的区别 |