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JANTX2N6298、JANTX2N6299、2N6298R1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6298 JANTX2N6299 2N6298R1

描述 PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-66 TO-66 TO-66

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

耗散功率 75 W 75 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 750 @4A, 3V 750 @4A, 3V -

额定功率(Max) 64 W 64 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 64000 mW 64000 mW -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -