JANTX2N6298
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N6298中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 75 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 750 @4A, 3V
额定功率Max 64 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 64000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTX2N6298引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N6298
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N6298 | Microsemi 美高森美 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N6298
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N6298 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 75000mW | 当前型号 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6299 品牌： 美高森美 封装： TO-66 75000mW | 类似代替 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N6298和JANTX2N6299的区别 |
| 型号： 2N6299E3 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | PNP Darlington Power Silicon Transistor | JANTX2N6298和2N6299E3的区别 |
| 型号： 2N6299 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | 2N 系列 80 V 8 A PNP 法兰安装 硅 达林顿 功率晶体管 - TO-66 | JANTX2N6298和2N6299的区别 |