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MMUN2241LT1、MMUN2241LT1G、DDTC115TCA-7-F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2241LT1 MMUN2241LT1G DDTC115TCA-7-F

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 0.4 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 160 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

额定功率(Max) 246 mW 246 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 400 mW 200 mW

增益带宽 - - 250 MHz

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃