IRF6614、IRF6614TRPBF对比区别

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型号 IRF6614 IRF6614TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 40V 12.7AINFINEON  IRF6614TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 40 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.8 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET

漏源极电阻 5.90 Ω 0.0059 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.1W (Ta), 42W (Tc) 42 W

产品系列 IRF6614 -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

漏源击穿电压 40.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10.1 A 12.7A

上升时间 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 2560pF @20V(Vds) 2560pF @20V(Vds)

下降时间 3.6 ns 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc)

额定功率 - 42 W

针脚数 - 7

阈值电压 - 1.8 V

额定功率(Max) - 2.1 W

封装 Direct-FET Direct-FET

材质 Silicon Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17