IRF6614
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6614中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 5.90 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1W Ta, 42W Tc
产品系列 IRF6614
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 10.1 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2560pF @20VVds
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF6614引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF6614
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6614 品牌： Infineon 英飞凌 封装： Direct-FET N-Channel 40V 10.1A 5.9Ω | 当前型号 | Direct-FET N-CH 40V 12.7A | 当前型号 |
| 型号： IRF6614TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 40V 12.7A | 类似代替 | INFINEON IRF6614TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 40 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.8 V 新 | IRF6614和IRF6614TRPBF的区别 |