2N6514、BUV22G、MJ802对比区别
描述 Trans GP BJT NPN 300V 7A 3Pin(2+Tab) TO-3ON SEMICONDUCTOR BUV22G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 250 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 8 hFETransistor Npn Silicon 100V Ic=30A To-3 Case High Power Audio Amplifier Comple
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 - 2 -
封装 TO-3 TO-204-2 -
频率 - 8 MHz -
额定电压(DC) - 250 V -
额定电流 - 40.0 A -
针脚数 - 2 -
极性 - NPN -
耗散功率 - 250 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 250 V -
集电极最大允许电流 - 40A -
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @10A, 4V -
额定功率(Max) - 250 W -
直流电流增益(hFE) - 8 -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 250000 mW -
封装 TO-3 TO-204-2 -
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -