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2N6514、BUV22G、MJ802对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6514 BUV22G MJ802

描述 Trans GP BJT NPN 300V 7A 3Pin(2+Tab) TO-3ON SEMICONDUCTOR  BUV22G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 250 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 8 hFETransistor Npn Silicon 100V Ic=30A To-3 Case High Power Audio Amplifier Comple

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 TO-3 TO-204-2 -

频率 - 8 MHz -

额定电压(DC) - 250 V -

额定电流 - 40.0 A -

针脚数 - 2 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 250 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 250 V -

集电极最大允许电流 - 40A -

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @10A, 4V -

额定功率(Max) - 250 W -

直流电流增益(hFE) - 8 -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250000 mW -

封装 TO-3 TO-204-2 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -