IXKH20N60C5、IXKP20N60C5、TK20E60U对比区别

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型号 IXKH20N60C5 IXKP20N60C5 TK20E60U

描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247ADTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220ABTOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 - - 3

漏源极电阻 180 mΩ - 0.19 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 208 W 190 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 20A

上升时间 5 ns 5 ns 40 ns

下降时间 5 ns 5 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

通道数 1 - -

漏源击穿电压 600 V - -

输入电容(Ciss) 1520pF @100V(Vds) 1520pF @100V(Vds) -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220

长度 16.24 mm 10.66 mm -

宽度 5.3 mm 4.82 mm -

高度 21.45 mm 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 - - NLR