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OP275GPZ、OP275GSZ-REEL7、LM833NG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OP275GPZ OP275GSZ-REEL7 LM833NG

描述 ANALOG DEVICES  OP275GPZ  音频功率放大器, AB, 2通道, ± 4.5V 至 ± 22V, DIP, 8 引脚双双极性/ JFET ,音频运算放大器 Dual Bipolar/JFET, Audio Operational AmplifierLM833、低噪声、双运算放大器,用于音频,ON Semiconductor低电压噪声:4.5 nV/√Hz 高增益带宽产品:15 MHz 高转换速率:7.0 V/μs 低输入偏置电压:0.3 mV ### 运算放大器,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器放大器、缓冲器音频放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

电源电压(DC) 15.0 V - 36.0 V

无卤素状态 - - Halogen Free

供电电流 30 mA 30 mA 4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 - - 0.5 W

共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB

静态电流 - - 4.00 mA

带宽 9 MHz 9 MHz 15.0 MHz

转换速率 22.0 V/μs 22.0 V/μs 7.00 V/μs

增益频宽积 9 MHz 9 MHz 15 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 300 µV

输入偏置电流 100 nA 100 nA 300 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 9 MHz 9 MHz 15 MHz

耗散功率(Max) - - 500 mW

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 80 dB

电源电压(Max) 22 V 22 V 36 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 10 V

长度 9.27 mm 5 mm 10.16 mm

宽度 7.24 mm 4 mm 6.6 mm

高度 3.43 mm 1.5 mm 3.44 mm

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2017/07/07 - 2015/12/17

军工级 No No -

ECCN代码 - - EAR99