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FQB9N50C、FQB9N50CFTM、FQB9N50TM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB9N50C FQB9N50CFTM FQB9N50TM

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN沟道 500V 9A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 9.00 A

漏源极电阻 - 700 mΩ 730 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 173W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9A 9.00 A 9.00 A

输入电容(Ciss) - 1030pF @25V(Vds) 1450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 173 W 3.13 W

耗散功率(Max) - 173W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc)

输入电容 - 1.03 nF -

栅电荷 - 35.0 nC -

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99