锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FQB9P25、FQB9P25TM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB9P25 FQB9P25TM

描述 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFETTrans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3

引脚数 - -

额定电压(DC) - -250 V

额定电流 - -9.40 A

漏源极电阻 - 620 mΩ

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 - 3.13 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.4A 9.40 A

上升时间 - 150 ns

输入电容(Ciss) - 1180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.13 W

下降时间 - 65 ns

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 120W (Tc)

针脚数 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

封装 D2PAK TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99