FQB9P25TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB9P25TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -250 V
额定电流 -9.40 A
漏源极电阻 620 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.40 A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 1180pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 65 ns
耗散功率Max 3.13W Ta, 120W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB9P25TM引脚图与封装图
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在线购买FQB9P25TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB9P25TM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB9P25TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB9P25TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK P-Channel 250V 9.4A 620mohms | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQB9P25 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET | FQB9P25TM和FQB9P25的区别 |