DS1230W-100IND+、DS1230W-100+、DS1230W-100IND对比区别
型号 DS1230W-100IND+ DS1230W-100+ DS1230W-100IND
描述 Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230W-100+ 芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 28 28
封装 EDIP-28 DIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) - 3.00V (min) 3.30 V, 3.60 V (max)
时钟频率 - - 100 GHz
存取时间 100 ns 100 ns 100 ns
内存容量 - 32000 B 256000 B
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V
针脚数 - 28 -
长度 39.12 mm - 39.12 mm
宽度 18.29 mm - 18.29 mm
高度 9.4 mm - 9.4 mm
封装 EDIP-28 DIP-28 EDIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Each Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free