IRLZ24NSPBF、STB16NF06LT4、STB36NF06LT4对比区别

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型号 IRLZ24NSPBF STB16NF06LT4 STB36NF06LT4

描述 N沟道 55V 18ASTMICROELECTRONICS  STB16NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS  STB36NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 17.0 A 16.0 A 30.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.07 Ω 0.032 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 45 W 70 W

阈值电压 - 1 V 1 V

输入电容 - - 660 pF

栅电荷 - - 17.5 nC

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 16.0 A 30.0 A

上升时间 20.0 ns 37 ns 80 ns

输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 45 W 70 W

下降时间 - 12.5 ns 13 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 45W (Tc) 70W (Tc)

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

产品系列 IRLZ24NS - -

长度 - 10.75 mm 10.4 mm

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -