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STB16NF06LT4

STB16NF06LT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STB16NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB16NF06LT4, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 16 A, 0.07 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the STB16NF06LT4 power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 45000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This device is made with stripfet technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB16NF06L 系列 60 V 0.09 Ohm N 沟道 STripFET 功率 MOSFET - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 16A 90mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK


STB16NF06LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 16.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 345pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 12.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STB16NF06LT4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STB16NF06LT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB16NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V 搜索库存
替代型号STB16NF06LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB16NF06LT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 60V 16A 10mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB16NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

当前型号

型号: STP55NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

类似代替

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STB16NF06LT4和STP55NF06的区别

型号: STP55NF06L

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 55A 14mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP55NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道

STB16NF06LT4和STP55NF06L的区别

型号: STP80NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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