IPB45N06S3-16、BUK9E15-60E,127、IPD144N06NG对比区别

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型号 IPB45N06S3-16 BUK9E15-60E,127 IPD144N06NG

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorI2PAK N-CH 60V 54AOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-252

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 55.0 V - 60.0 V

额定电流 45.0 A - 50.0 A

输入电容 2.98 nF - 1.90 nF

栅电荷 57.0 nC - 54.0 nC

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 45.0 A 54A 50.0 A

输入电容(Ciss) 2980pF @25V(Vds) 2651pF @25V(Vds) 1900pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 65 W 96 W 136 W

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 65W (Tc) 96W (Tc) -

耗散功率(Max) 65W (Tc) 96W (Tc) -

上升时间 61 ns - -

下降时间 68 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-252

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -