IPD144N06NG
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Infineon
英飞凌
主动器件
IPD144N06NG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 50.0 A
输入电容 1.90 nF
栅电荷 54.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 1900pF @30VVds
额定功率Max 136 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD144N06NG引脚图与封装图
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在线购买IPD144N06NG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD144N06NG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPD144N06NG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD144N06NG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 60V 50A | 当前型号 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB45N06S3-16 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 55V 45A 2.98nF | 功能相似 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | IPD144N06NG和IPB45N06S3-16的区别 |