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DTA123EETL、PDTA123EE,115、DTA123EET1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA123EETL PDTA123EE,115 DTA123EET1

描述 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohmNXP  PDTA123EE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 150 mW, -100 mA, 30 hFEPNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-416-3 SC-75-3 SOT-416

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

额定功率 0.15 W - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.15 W 150 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 20 @20mA, 5V 30 @20mA, 5V 8 @5mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz - -

耗散功率(Max) 150 mW - 300 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 30 -

长度 1.6 mm - -

宽度 0.8 mm - -

高度 0.7 mm - 0.75 mm

封装 SOT-416-3 SC-75-3 SOT-416

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -