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RMW150N03TB、RS1E150GNTB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RMW150N03TB RS1E150GNTB

描述 SOP N-CH 30V 15ATrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8Pin HSOP EP T/R

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 PSOP-8 HSOP-8

引脚数 - 8

极性 N-CH -

耗散功率 3W (Ta) 3 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 15A -

输入电容(Ciss) 831pF @15V(Vds) 590pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3 W -

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta), 22.9W (Tc)

上升时间 - 4.5 ns

下降时间 - 3.4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 PSOP-8 HSOP-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free