RS1E150GNTB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RS1E150GNTB中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 590pF @15VVds
下降时间 3.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 22.9W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOP-8
外形尺寸
封装 HSOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RS1E150GNTB引脚图与封装图
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在线购买RS1E150GNTB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RS1E150GNTB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8Pin HSOP EP T/R | 搜索库存 |
替代型号RS1E150GNTB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RS1E150GNTB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： HSOP-8 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8Pin HSOP EP T/R | 当前型号 |
| 型号： RMW150N03TB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N-CH 30V 15A | 功能相似 | SOP N-CH 30V 15A | RS1E150GNTB和RMW150N03TB的区别 |