DS1270W-100IND、DS1270Y-100、DS1270W-100IND#对比区别

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型号 DS1270W-100IND DS1270Y-100 DS1270W-100IND#

描述 IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIPIC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIPNon-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 -

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 100 GHz 100 GHz -

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 16000000 B 16000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 5.5 V 3.6 V

电源电压(Min) - 4.5 V 3 V

长度 53.34 mm 53.34 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 10.29 mm 10.29 mm -

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅