锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BF370R、MPS3646RLRA、BF370,112对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF370R MPS3646RLRA BF370,112

描述 0.5W(1/2W) High Voltage NPN Plastic Leaded Transistor. 15V Vceo, 0.1A Ic, 40 hFETO-92 NPN 15V 0.3ASPT NPN 15V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Continental Device ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) - 15.0 V -

额定电流 - 300 mA -

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 15 V

集电极最大允许电流 - 0.3A 0.1A

额定功率(Max) - 625 mW 500 mW

最小电流放大倍数(hFE) - - 40 @10mA, 1V

封装 - TO-226-3 TO-226-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free