IRF1010ZSTRLPBF、IRF1010ZSTRRPBF、IRF1010ZS对比区别

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型号 IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZSTRRPBF IRF1010ZS

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 94AD2PAK N-CH 55V 94A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0058 Ω - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 140 W 140 W 140W (Tc)

阈值电压 4 V - -

输入电容 2840 pF - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 94A 94A 94A

上升时间 150 ns 150 ns -

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W - -

下降时间 92 ns 92 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

长度 10.67 mm 10 mm -

宽度 11.3 mm 9.25 mm -

高度 4.83 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅