IRF1010ZS
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF1010ZS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 140W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 94A
输入电容Ciss 2840pF @25VVds
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
符合标准
RoHS标准
含铅标准
IRF1010ZS引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF1010ZS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF1010ZS 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 55V 94A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 94A | 当前型号 |
| 型号： IRF1010ZSPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 55V 94A | 类似代替 | INFINEON IRF1010ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 55 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V | IRF1010ZS和IRF1010ZSPBF的区别 |
| 型号： IRF1010ZSTRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 55V 94A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF1010ZS和IRF1010ZSTRLPBF的区别 |
| 型号： IRF1010ZSTRRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 55V 94A | 类似代替 | D2PAK N-CH 55V 94A | IRF1010ZS和IRF1010ZSTRRPBF的区别 |