CY7C1354C-166BGC、IS61NLP25636A-200B2LI、CY7C1354B-166BGC对比区别

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型号 CY7C1354C-166BGC IS61NLP25636A-200B2LI CY7C1354B-166BGC

描述 9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v9 -MB （ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 BGA-119 BGA-119 BGA-119

引脚数 119 119 -

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - - 166MHz (max)

存取时间 3.5 ns 3.1 ns 166 µs

内存容量 - - 9000000 B

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.6V

位数 36 36 -

存取时间(Max) 3.5 ns 3.1 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

供电电流 180 mA - -

封装 BGA-119 BGA-119 BGA-119

高度 1.46 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -