CY7C1354B-166BGC
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C1354B-166BGC中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 166MHz max
存取时间 166 µs
内存容量 9000000 B
电源电压 3.135V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 BGA-119
外形尺寸
封装 BGA-119
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
CY7C1354B-166BGC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1354B-166BGC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1354B-166BGC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 9 -MB （ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture | 搜索库存 |
替代型号CY7C1354B-166BGC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1354B-166BGC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： BGA 9000000B 3.3V 166µs | 当前型号 | 9 -MB （ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture | 当前型号 |
| 型号： CY7C1354C-166BGC 品牌： 赛普拉斯 封装： BGA | 类似代替 | 9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit 256 K × 36/512 K × 18 Pipelined SRAM with NoBL? Architecture | CY7C1354B-166BGC和CY7C1354C-166BGC的区别 |
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| 型号： CY7C1354C-166BGXC 品牌： 赛普拉斯 封装： | 功能相似 | 9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NoBL⑩架构 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture | CY7C1354B-166BGC和CY7C1354C-166BGXC的区别 |