IRF7204、IRF7204PBF、MMSF3P02HDR2G对比区别

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型号 IRF7204 IRF7204PBF MMSF3P02HDR2G

描述 SOIC P-CH 20V 5.3AP 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -5.30 A - -3.00 A

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5W (Tc) 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7204 - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 5.30 A 5.3A 5.60 A

上升时间 26.0 ns 26 ns 135 ns

输入电容(Ciss) 860pF @10V(Vds) 860pF @10V(Vds) 1400pF @16V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Ta)

额定功率 - 2.5 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.06 Ω

阈值电压 - 2.5 V 1.5 V

热阻 - 50℃/W (RθJC) -

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 68 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电容 - - 1.40 nF

栅电荷 - - 46.0 nC

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99