IRF6665TR1、IRF6665TRPBF、IRF6665对比区别

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型号 IRF6665TR1 IRF6665TRPBF IRF6665

描述 Direct-FET N-CH 100V 4.2AINFINEON  IRF6665TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 5 V 新Direct-FET N-CH 100V 4.2A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-SH

漏源极电阻 53.0 mΩ 0.053 Ω 62 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.2W (Ta), 42W (Tc) 42 W 2.2 W

产品系列 IRF6665 - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 4.2A 4.2A

上升时间 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns

输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds)

下降时间 4.3 ns 4.3 ns 4.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)

额定功率 - 42 W -

针脚数 - 6 -

阈值电压 - 5 V -

额定功率(Max) - 2.2 W -

通道数 - - 1

封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-SH

长度 - 4.85 mm 4.85 mm

宽度 - 3.95 mm 3.95 mm

高度 - 0.7 mm 0.7 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -