IRF6665TR1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Direct-FET N-CH 100V 4.2A

N-Channel 100V 4.2A Ta, 19A Tc 2.2W Ta, 42W Tc Surface Mount DIRECTFET™ SH

得捷:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R

IRF6665TR1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 53.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.2W Ta, 42W Tc

产品系列 IRF6665

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 3.40 A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 530pF @25VVds

下降时间 4.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF6665TR1引脚图与封装图

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替代型号IRF6665TR1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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